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技術(shù)干貨| DDR SDRAM器件電參數測試程序開(kāi)發(fā)研究

更新時(shí)間:2024-04-23  |  點(diǎn)擊率:248

        DDR器件,即雙倍數據速率同步動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器,是現代電子設備中不能缺少的關(guān)鍵組件。DDR器件以其高速度、大容量和低功耗的特性,在計算機、服務(wù)器、通信設備和消費電子等領(lǐng)域得到了廣泛應用。隨著(zhù)科技的快速發(fā)展,DDR器件不斷更新?lián)Q代,性能要求也在不斷提高,其電參數測試成為了確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能穩定的關(guān)鍵環(huán)節。


電性能參數簡(jiǎn)介

        電性能參數作為DDR器件在電路中行為特性的核心描述,反映了器件在不同工作狀態(tài)下的綜合表現。 DDR器件的電性能參數主要包括各狀態(tài)工作電流、時(shí)鐘頻率、數據傳輸速率以及延遲時(shí)間等關(guān)鍵要素。這些參數對DDR器件的性能表現具有決定性作用。具體而言,工作電流的大小直接關(guān)系到DDR器件的應用環(huán)境及功耗水平;時(shí)鐘頻率和數據傳輸速率則共同決定了DDR器件的數據處理能力;而延遲時(shí)間則是影響系統響應速度和整體性能不可忽視的因素。


        值得注意的是,各代DDR器件在電性能參數和工作條件方面存在顯著(zhù)差異。為了深入了解這些差異,我們可以參考相關(guān)的器件手冊。例如,下圖展示了某DDR器件規格書(shū)的扉頁(yè)。從規格書(shū)中可以獲取詳細的電性能參數和工作條件信息。這些信息對于正確選擇和應用DDR器件至關(guān)重要。


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圖1


主要測試設備

        V93000-CTH


        設備特點(diǎn):


        1. V93000-CTH是一臺先進(jìn)的超大規模集成電路自動(dòng)化測試系統,專(zhuān)為數字邏輯芯片、混合信號芯片、片上系統SoC芯片等產(chǎn)品的測試而設計,測試范圍廣泛;


        2. 采用先進(jìn)的Smartest軟件平臺,為用戶(hù)提供強大的編程和測試功能,使得測試程序的開(kāi)發(fā)更為快速和高效;


        3. 平臺在數字測試通道數方面,V93000-CTH具有出色的可擴展性,可以從128通道擴展至2048通道(以128通道為最小擴展單位);


        4. 系統支持多種測試速度,其搭配的PS 9G板卡最高可以提供9 Gbps的測試速率。此外,該設備還支持多種測試速度的數字通道板卡混插,從而滿(mǎn)足不同的測試需求;


        5. 高效的測試效率:V93000-CTH具有出色的測試速度,與傳統的測試設備相比,它能夠更快地完成測試任務(wù),從而提高測試效率。


測試案例

        在進(jìn)行DDR測試開(kāi)發(fā)之前,器件的各項參數指標是我們必須首要關(guān)注的要點(diǎn)。為確保測試的準確性和可靠性,我們必須選擇適當的測試平臺,并設計符合要求的測試夾具和測試板卡。這些工具的選擇對測試結果的精確性和穩定性具有直接影響。此外,DDR的時(shí)序配置亦不可忽視,它涉及到器件初始化、激活、預充電以及內存讀寫(xiě)等操作的時(shí)序控制,對于保障內存的穩定性和性能具有決定性作用。


        在DDR的各項電參數中,關(guān)鍵的DC參數包含了IDD0、IDD1(Operating one bank Current),IDD2(Precharge Current),IDD3(Active Current),IDD4(Operating burst write/read current ),IDD5、IDD6(Refresh Current),IDD7(Operating bank interleave read current)和IDD8(Reset Current)等,其中最小的工作電流通常小于十毫安,最大的工作電流則可能達到幾百毫安級。而關(guān)鍵的AC參數有tCK(System Clock),tAC(DQ output access time to/from CK/CK#),tDQSCK(DQS/DQS# rising to/from rising CK/CK#)等,其中系統時(shí)鐘通常為納秒級參數,關(guān)鍵參數如tDQSCK則為皮秒級延時(shí)參數。


        下組圖為廣電計量測試某型號DDR器件時(shí)的示意圖,通過(guò)定制合適的測試板以及測試夾具,配合適當配置的ATE平臺,對相應的DDR樣品進(jìn)行測試。


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 DDR機臺測試示意圖


       下組圖左側為廣電計量對某DDR器件關(guān)鍵參數測試數據,測試采用V93000-CTH完成;下組圖右側為該公司同型號的規格書(shū)當中電特性參數部分列表。


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實(shí)機測試數據


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規格書(shū)中電參數判限


測試能力

        廣電計量引進(jìn)國內外的測試技術(shù)和設備,搭建了DDR器件相關(guān)關(guān)鍵參數的測試開(kāi)發(fā)能力。此外,廣電計量也致力于發(fā)展數字邏輯芯片、混合信號芯片以及片上系統SoC芯片等多元化器件的測試能力,為我國芯片產(chǎn)業(yè)的多樣化發(fā)展提供了強有力的驗證保障,為芯片產(chǎn)品的順利上市保駕護航。


廣電計量半導體服務(wù)優(yōu)勢

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