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破壞性物理分析,DPA測試 元器件失效分析

簡(jiǎn)要描述:廣電計量破壞性物理分析,DPA測試 元器件失效分析提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內的元器件破壞性物理分析(DPA)服務(wù),其中針對先進(jìn)半導體?藝,具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能?,將問(wèn)題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內,針對有水汽控制要求的宇航級空封器件,提供PPM級內部水汽成分分析,保證空封元器件特殊使用要求。

  • 廠(chǎng)商性質(zhì):工程商
  • 更新時(shí)間:2024-03-13
  • 訪(fǎng)問(wèn)次數:469

詳細介紹

品牌廣電計量服務(wù)區域全國
服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS服務(wù)周期常規5-7個(gè)工作日
服務(wù)費用視具體項目而定

服務(wù)范圍

廣電計量破壞性物理分析,DPA測試 元器件失效分析:集成電路芯片、電子元件、分立器件、機電類(lèi)器件、線(xiàn)纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲器、AD/DA、總線(xiàn)接?類(lèi)、 通?數字電路、模擬開(kāi)關(guān)、模擬器件、微波器件、電源類(lèi)等。

檢測標準

GJB128A-97半導體分?器件試驗方法

●GJB360A-96電子及電?元件試驗方法

●GJB548B-2005微電子器件試驗方法和程序

●GJB7243-2011J用電子元器件篩選技術(shù)要求

●GJB40247A-2006J用電子元器件破壞性物理分析方法

●QJ10003—2008進(jìn)口元器件篩選指南

●MIL-STD-750D半導體分立器件試驗方法

●MIL-STD-883G微電子器件試驗方法和程序

檢測項目

●非破壞性項目:外部目檢、X 射線(xiàn)檢查、PIND、密封、引出端強度、聲學(xué)顯微鏡檢查;

●破壞性項目:激光開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封、內部?體成分分析、內部目檢、SEM檢查、鍵合強度、剪切強度、粘接強度、IC取芯片、 芯片去層、襯底檢查、PN結染?、DB FIB、熱點(diǎn)檢測、漏電位置檢測、彈坑檢測、ESD測試

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

電子元器件制造?藝質(zhì)量?致性是電子元器件滿(mǎn)足其用途和相關(guān)規范的前提。?量假替翻新元器件充斥著(zhù)元器件供應市場(chǎng),如何確定貨架元器件真偽是困擾元器件使用方的?大難題。

我們的優(yōu)勢

破壞性物理分析,DPA測試 元器件失效分析提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內的元器件破壞性物理分析,其中針對先進(jìn)半導體?藝,具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能力,將問(wèn)題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內;

針對有水汽控制要求的宇航級空封器件,提供PPM級內部水汽成分分析,保證空封元器件特殊使用要求。



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