服務(wù)背景

廣電計量半導體功率器件質(zhì)量提升,失效分析解決方案，功率半導體器件在生產(chǎn)和使用過(guò)程中往往受到各種應力和環(huán)境因素的影響，達不到預期的壽命或功能，即發(fā)生失效現象。失效分析是一門(mén)新興發(fā)展中的學(xué)科，在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開(kāi)發(fā)、改進(jìn)，產(chǎn)品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實(shí)際意義。

服務(wù)內容

一、半導體功率器件失效分析流程

1、失效信息背景調查，充分了解器件失效現象（不工作/導致上下端工作異常/異常引腳定鎖）、失效比例（偶然/集中一批）、使用環(huán)境（戶(hù)外/海邊/高海拔等）、失效發(fā)生階段（新產(chǎn)品/成熟產(chǎn)品）、工藝材料變更信息，這些都會(huì )有助于快速鎖定問(wèn)題根源。

2、制定失效分析方案，根據提供背景信息結合技術(shù)經(jīng)驗，制定有針對性的分析方案可以降低失效分析成本，加快失效分析進(jìn)度，提高失效分析成功率。同時(shí)對各種可能的原因準備相應的處理措施。（制定的方案不會(huì )是一成不變的，實(shí)際分析項目會(huì )根據新發(fā)現的現象和分析結果及時(shí)調整）

3、通過(guò)各種非破壞、半破壞、破壞性試驗確定失效位置，這里需要高超的制樣技巧和設備精度，目的是限度地防止把被分析器件的真正失效因素、跡象丟失或引入新的失效因素，以期得到客觀(guān)的分析結論。

4、根據失效位置形貌、元素成份、物理結構，結合失效背景、技術(shù)經(jīng)驗，推斷導致失效可能原因，并逐個(gè)排查最終找到失效根因形成邏輯閉環(huán)。

5、預防與改進(jìn)措施建議，客戶(hù)往往忽略這一點(diǎn)，根據失效原因進(jìn)行重現及提出改進(jìn)措施（更優(yōu)原材料、優(yōu)化工藝參數、器件結構改進(jìn)、更合理的測試方法及條件、更嚴格的質(zhì)量監控等）最終關(guān)閉此問(wèn)題點(diǎn)。

二、功率半導體器件失效分析常見(jiàn)測試內容

1、電學(xué)性能：IF、UR、IR，VSD、IDSS、BVDSS、IGSS、VGS（TH）、RDS（ON）、VDS（ON），RG、CIES、COES，Td（ON）、Tr、Td（OFF）、Tf、EON、EOFF、Trr、Qrr、Irrm、QG，Rth（j-c）等靜態(tài)、動(dòng)態(tài)參數

2、塑封料：注塑工藝評價(jià)、缺陷查找、膠水基材種類(lèi)、有無(wú)污染物、氣泡，氣密性評估、膠水耐熱性、ESD元素分析、FTIR紅外光譜分析

3、粘結料涂覆及固晶制程：粘結料涂覆工藝評價(jià)、缺陷查找、成份分析、空洞率、厚度，固晶工藝評價(jià)、頂針痕、吸嘴印、芯片平整度、污染物檢測、鈍化層損傷

4、芯片：工藝觀(guān)察、清潔度檢查、耐壓環(huán)及元胞微觀(guān)結構測量、缺陷定位、缺陷暴露、抗靜電能力檢測

5、引線(xiàn)鍵合：工藝評價(jià)、一焊和二焊形貌觀(guān)測、鍵合接觸面微觀(guān)形貌觀(guān)測、鍵合IMC健康檢測、弧形弧高測量、鍵合線(xiàn)直徑測量、成份鑒定、PAD成份結構觀(guān)測

6、引線(xiàn)框架：引線(xiàn)框架（含DBC等各種材質(zhì)）涂鍍層厚度測量、成份檢測、工藝評價(jià)、缺陷查找、變色變粗糙等老化原因分析。

我們的優(yōu)勢

廣電計量半導體功率器件質(zhì)量提升,失效分析解決方案經(jīng)過(guò)在功率半導體器件方面數年積累，形成了博士7人、碩士13人的專(zhuān)業(yè)人才團隊，各方面研究方向同步業(yè)內先進(jìn)研究進(jìn)展，研究設備均為業(yè)內多套設備（靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數測試：B1505A、B1506A、SW8200A等，物理分析：T3Ster、DB FIB、FE SEM、InGaAs、ORBICH、Thermal Emmi等）。可以從材料角度、工藝制程角度、使用存儲環(huán)境角度查找缺陷，定位失效點(diǎn)，從而找出失效的原因，并針對失效原因提出可行的改善建議。通過(guò)承接大量客戶(hù)新產(chǎn)品驗證、AEC-Q車(chē)規認證等各種可靠性試驗后器件失效案例分析，積累了豐富的各種應力導致的失效模式、失效機理數據庫材料，同時(shí)積累了豐富的器件結構經(jīng)驗、熟練的制樣經(jīng)驗，可以快速準確為您判定失效根因。