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第三代半導體器件全參數測試電力電子器件

簡(jiǎn)要描述：第三代半導體器件全參數測試電力電子器件:廣電計量專(zhuān)家團隊深入解讀IGBT測試相關(guān)標準，建立功率模塊可靠性驗證技術(shù)能力，可以為功率半導體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供具有專(zhuān)業(yè)性的IGBT及第三代半導體器件全參數測試驗證報告。

廠(chǎng)商性質(zhì)：工程商
更新時(shí)間：2024-03-14
訪(fǎng)問(wèn)次數：419

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詳細介紹

品牌	廣電計量

服務(wù)范圍

第三代半導體器件全參數測試電力電子器件:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。

檢測標準

l AEC-Q101分立器件認證

l MIL-STD-750半導體器件試驗?法

l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices

l GB/T29332半導體器件-分立器件-第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

l AQG324功率模塊?規認證

檢測項目

試驗類(lèi)型	試驗項?
靜態(tài)參數	BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)…
動(dòng)態(tài)參數	td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE…
其他參數	Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA…

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

第三代半導體器件全參數測試電力電子器件:功率器件在新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有廣泛應用，其中，IGBT技術(shù)瓶頸不斷被打破，第三代半導體功率器件也開(kāi)始由實(shí)驗室階段步?商業(yè)應用。通常這些新型器件測試要求更?的電壓和功率?平，更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間，對測試設備及人員技術(shù)要求?，在研發(fā)時(shí)間與成本的雙重壓力下，全參數測試成為不少制造商的難題。

我們的優(yōu)勢

廣電計量積極布局新型IGBT及第三代半導體功率器件的測試業(yè)務(wù)，引進(jìn)先進(jìn)的測試技術(shù)，為功率半導體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件全參數檢測服務(wù)。同時(shí)，廣電計量通過(guò)構筑檢測認證與分析?體化平臺，為客?提供器件可靠性驗證及失效分析，幫助客戶(hù)分析失效機理，指導產(chǎn)品設計及?藝改進(jìn)。

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